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應對貿易制裁:中國囤積美國芯片 從海外挖角


圖為清華紫光的研究人員2016年2月29日在北京的研究中心顯示公司研製的半導體芯片。
圖為清華紫光的研究人員2016年2月29日在北京的研究中心顯示公司研製的半導體芯片。
應對貿易制裁:中國囤積美國芯片 從海外挖角
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為了應對貿易戰與科技制裁,中國據報開始囤積美國進口芯片,並高薪從海外挖角,試圖建立自己的芯片製造產業。

彭博新聞社援引最新的官方統計數據說,中國過去三年來從美國進口的半導體、集成電路與芯片製造設備急劇增加。儘管美中爆發貿易戰,中國今年8月依然從美國進口價值將近17億美元的芯片和相關設備,達到2017年初以來的最高額度,而且10月份的進口再次逼近這個水平。

報導說,華為公司和杭州的海康威視自從被列入美國商務部出口管制實體清單之後,都增加了美國芯片的進口。海康威視今年10月表示,已經囤積了足夠的關鍵部件,可以支撐一段時間的運營。

動態隨機存取記憶體(DRAM

中國政府同時加大國內芯片產業的投資。今年10月,政府正式成立總額290億美元的國家支持的新的基金,投資芯片產業,扶植以清華紫光為龍頭的中國半導體產業。但中國在高性能半導體芯片和圖像處理芯片等關鍵領域依然落後於美國等西方國家。

動態隨機存取記憶體(簡稱DRAM)就一直是中國芯片產業的軟肋,原因是中國缺乏DRAM的生產經驗、技術和知識產權,而且清華紫光之前在南京與成都設置DRAM研製基地都沒有成功,一度被視為中國DRAM製造商的福建晉華集成電路也因剽竊美國的知識產權而在2018年10月被美國商務部列入出口管制實體清單,現在幾乎破產。目前唯一的希望就是長鑫存儲技術有限公司。

電子工程網站EETimes 12月3日說,長鑫存儲技術公司在安徽合肥建立了DRAM工廠和研發設施,目前晶片的月產量已達2萬。公司今年秋季使用19納米的處理技術,已經開始生產LPDDR4, DDR4 8Gbit的DRAM晶片產品。

高薪挖角

為了彌補人才不足,長鑫存儲技術公司開始從海外招募人才,合肥的工廠現有3千名僱員中70%都是工程師和技術人員,其中很多都來自韓國和台灣。長鑫還從全球第二大DRAM製造商、德國的奇夢達(Qimonda)公司挖角,後者發明疊層電容器(stack capacitor)的副總裁屈斯特爾斯(Karl Heinz Kuesters)也以顧問的身份效力長鑫,而長鑫就是利用疊層電容器技術進行晶片生產的。物件分析公司(Object Analysis)首席分析師漢迪(Jim Handy)就此對電子工程網站評價說,長鑫“基本是奇夢達在中國的設計中心,只是由於地方政府的資助而擁有一個嶄新的工廠”,因此“他們能夠使用奇夢達的所有知識產權。這讓他們比中國其他DRAM 和閃存芯片(NAND)的新興製造商處於更有利的位置”。

台灣《商業周刊》近日報導,由於中國半導體產業開出的高薪,台灣半導體產業已經有3千多名工程師前往大陸任職。現被列為全球第五大晶片製造商的上海中芯國際就有一百名工程師來自台灣的台積電,台灣DRAM產業教父高啟全也在2015年加盟清華紫光,負責DRAM的研發。

後起的不足

但半導體研究機構IC Insights負責市場研究的副總裁馬塔斯(Brian Matas)在電子工程網站指出,儘管擁有政府的扶植,中國晶片產業的後起之秀很難跟上科技時代的快速步伐。他說,“我們認為中國的DRAM生產不會很容易,也不像經常報導的那樣發展迅速。缺乏經驗技術和知識產權肯定是兩大障礙”。他認為“一個暴發公司(或國家)很難從零開始躋身DRAM產業,對三星、SK 海力士(Hynix)和美光科技(Micron)構成挑戰而且並駕齊驅。後三家巨頭沿著技術曲線繼續發展他們的DRAM設備,將讓中國失去在DRAM生產上取得的任何進展或讓這種進展落後”。馬塔斯得出的結論是,“中國要想生產出在密度、性能和價值上具有競爭優勢的DRAM設備極端困難。批量交付DRAM設備也是一個挑戰,因為拿到能夠生產此類設備的機器難度很高,可能相當於冷戰時期”。

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